Mục lục:
Định nghĩa - Bộ nhớ thay đổi pha (PCM) nghĩa là gì?
Bộ nhớ thay đổi pha (PCM) là một loại RAM không bay hơi lưu trữ dữ liệu bằng cách thay đổi trạng thái của vật liệu được sử dụng, nghĩa là nó thay đổi qua lại giữa trạng thái vô định hình và tinh thể ở cấp độ hiển vi. PCM được coi là một công nghệ mới nổi.
PCM nhanh hơn 500 đến 1.000 lần so với bộ nhớ flash thông thường. Công nghệ PCM cũng có thể cung cấp lưu trữ không biến đổi mật độ cao, khối lượng lớn và mật độ cao với quy mô vô song.
Bộ nhớ thay đổi pha còn được gọi là RAM hoàn hảo, PCME, PRAM, PCRAM, bộ nhớ hợp nhất ovonic, RAM chalcogenide và C-RAM.
Techopedia giải thích Bộ nhớ thay đổi pha (PCM)
Ở trạng thái vô định hình (hoặc pha bị rối loạn), vật liệu trong bộ nhớ PCM có điện trở cao. Ở trạng thái tinh thể (hoặc pha theo thứ tự), nó có ít điện trở hơn. Do đó, dòng điện được phép bật và tắt để thể hiện trạng thái cao và thấp kỹ thuật số.
Đây là một trong một số công nghệ bộ nhớ cạnh tranh để thay thế bộ nhớ flash, có một số vấn đề. Bộ nhớ thay đổi pha có thể cung cấp hiệu suất cao hơn nhiều trong đó yêu cầu viết nhanh. Bộ nhớ flash cũng xuống cấp với mỗi lần nổ điện áp. Các thiết bị bộ nhớ thay đổi pha cũng xuống cấp, nhưng với tốc độ chậm hơn nhiều. Tuy nhiên, tuổi thọ của bộ nhớ thay đổi pha bị giới hạn bởi cấu trúc dữ liệu giống như cây gọi là cây hậu tố tổng quát, giãn nở nhiệt trong quá trình lập trình, di chuyển kim loại và các cơ chế chưa biết khác.
Ngoài ra, không giống như bộ nhớ flash, PCM không yêu cầu bước "xóa" riêng khi thay đổi thông tin được lưu trữ từ một thành 0 hoặc 0 thành một. Do đó, PCM có thể thay đổi bit và nhanh hơn nhiều cho cả đọc và ghi dữ liệu.
Một số tổ chức nổi tiếng, như IBM, Intel, Samsung, v.v., đang tiến hành nghiên cứu về công nghệ PCM. Một số chuyên gia trong ngành tin rằng PCM có thể là công nghệ lưu trữ dữ liệu của tương lai, thay thế ổ đĩa cứng bằng ổ đĩa trạng thái rắn.
