Mục lục:
- Định nghĩa - Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) nghĩa là gì?
- Techopedia giải thích Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM)
Định nghĩa - Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) nghĩa là gì?
Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) là một loại bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên được sử dụng trong các thiết bị máy tính (chủ yếu là PC). DRAM lưu trữ từng bit dữ liệu trong một thành phần điện tử thụ động riêng biệt bên trong một bảng mạch tích hợp. Mỗi thành phần điện có hai trạng thái giá trị trong một bit được gọi là 0 và 1. Bộ lưu giữ này cần được làm mới thường xuyên nếu không thông tin sẽ mờ dần. DRAM có một tụ điện và một bóng bán dẫn trên mỗi bit trái ngược với bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh (SRAM) cần 6 bóng bán dẫn. Các tụ điện và bóng bán dẫn được sử dụng là đặc biệt nhỏ. Có hàng triệu tụ điện và bóng bán dẫn phù hợp trên một chip nhớ duy nhất.
Techopedia giải thích Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM)
DRAM là bộ nhớ động và SRAM là bộ nhớ tĩnh. Các chip DRAM trên bảng mạch cần phải làm mới cứ sau vài mili giây. Điều này được thực hiện bằng cách viết lại dữ liệu vào mô-đun. Chip cần làm mới là bộ nhớ dễ bay hơi. DRAM truy cập bộ nhớ trực tiếp, giữ bộ nhớ trong một thời gian ngắn và mất dữ liệu khi tắt nguồn. SRAM là bộ nhớ dễ bay hơi tĩnh và không cần làm mới. Bởi vì SRAM nhanh hơn rất nhiều, nó được sử dụng trong các thanh ghi và bộ nhớ đệm. SRAM giữ dữ liệu và thực hiện ở tốc độ cao hơn DRAM. Mặc dù SRAM nhanh hơn, DRAM được sử dụng thường xuyên hơn trên bo mạch chủ vì nó rẻ hơn rất nhiều khi sản xuất.
Ba loại bảng mạch chính chứa chip bộ nhớ là mô-đun bộ nhớ song song (DIMM), mô-đun bộ nhớ đơn dòng (SIMM) và mô-đun bộ nhớ trong dòng Rambus (RIMM). Ngày nay, phần lớn các bo mạch chủ sử dụng DIMM. Tốc độ làm mới mô-đun cho DRAM là cứ sau vài mili giây (1/1000 giây). Việc làm mới này được thực hiện bởi bộ điều khiển bộ nhớ nằm trên chipset của bo mạch chủ. Vì logic refresh được sử dụng để làm mới tự động, nên bảng mạch DRAM khá phức tạp. Có các hệ thống khác nhau được sử dụng để làm mới nhưng tất cả các phương pháp đều yêu cầu bộ đếm để theo dõi hàng cần được làm mới tiếp theo. Các ô DRAM được tổ chức trong một tập hợp các tụ điện vuông, thường là 1024 x 1024 ô. Khi một ô ở trạng thái đọc đọc, một toàn bộ hàng được đọc ra và làm mới được viết lại. Khi ở trạng thái Viết viết, một hàng toàn bộ là đọc hết, một giá trị được thay đổi và sau đó toàn bộ hàng được viết lại. Tùy thuộc vào hệ thống, có các chip DRAM chứa bộ đếm trong khi các hệ thống khác dựa trên logic làm mới ngoại vi bao gồm bộ đếm. Thời gian truy cập của DRAM là khoảng 60 nano giây, trong khi SRAM có thể thấp tới 10 nano giây. Đồng thời, thời gian chu kỳ của DRAM dài hơn SRAM rất nhiều. Thời gian chu kỳ của SRAM ngắn hơn vì không cần dừng giữa truy cập và làm mới.
