Dữ liệu mở rộng ra bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên (edo ram) là gì? - định nghĩa từ techopedia

Định nghĩa - Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên dữ liệu mở rộng (RAM EDO) nghĩa là gì?

Mở rộng dữ liệu ra bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên (EDO RAM / DRAM) là loại chip bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) ban đầu được thiết kế để cải thiện hiệu suất của DRAM chế độ trang nhanh (FPM DRAM) được sử dụng trong những năm 1990. Tính năng chính của nó là loại bỏ thời gian chờ bằng cách cho phép một chu kỳ mới bắt đầu trong khi vẫn giữ bộ đệm đầu ra dữ liệu từ chu trình trước đó hoạt động, cho phép mức độ đường ống (hoạt động chồng chéo) cải thiện hiệu suất.

Techopedia giải thích Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên dữ liệu mở rộng (RAM EDO)

Dữ liệu mở rộng ra bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động được giới thiệu vào năm 1994 và bắt đầu thay thế DRAM chế độ trang nhanh vào năm 1995 khi Intel lần đầu tiên giới thiệu chipset 430FX hỗ trợ EDO DRAM. Trước đó, EDO DRAM có thể thay thế DRAM FPM, nhưng nếu bộ điều khiển bộ nhớ không được thiết kế riêng cho EDO, thì hiệu suất vẫn giống như FPM.

EDO DRAM một chu kỳ có thể thực hiện toàn bộ giao dịch bộ nhớ trong một chu kỳ đồng hồ duy nhất, nếu không, nó có thể thực hiện theo hai chu kỳ thay vì ba, một khi trang đã được chọn. Khả năng của EDO cho phép nó thay thế bộ đệm L2 chậm của PC tại thời điểm đó và giảm tổn thất hiệu năng lớn liên quan đến bộ đệm L2, đồng thời giúp PC rẻ hơn để xây dựng tổng thể. Vì vậy, một hệ thống sử dụng EDO với bộ đệm L2 nhanh hơn nhiều so với kết hợp bộ đệm của bộ đệm FPM và L2, trong khi cũng rẻ hơn để xây dựng.

EDO được đánh giá cho tốc độ xung nhịp tối đa 40 MHz, băng thông bus 64 bit, băng thông tối đa 320 MBps và chạy ở mức 5 volt. Nó nhanh hơn rõ rệt so với DRAM FPM cũ chỉ có tốc độ xung nhịp tối đa 25 MHz và băng thông tối đa 200 MBps. Tuy nhiên, nó đã được thay thế bởi SDRAM nhanh hơn bắt đầu từ năm 1996, chỉ sau hai năm sử dụng chính.