Mục lục:
Định nghĩa - Bộ nhớ Flash có nghĩa là gì?
Bộ nhớ flash là chip bộ nhớ không bay hơi được sử dụng để lưu trữ và truyền dữ liệu giữa máy tính cá nhân (PC) và các thiết bị kỹ thuật số. Nó có khả năng được lập trình lại và xóa. Nó thường được tìm thấy trong các ổ đĩa flash USB, máy nghe nhạc MP3, máy ảnh kỹ thuật số và ổ đĩa thể rắn.
Bộ nhớ flash là một loại bộ nhớ chỉ đọc có thể lập trình có thể xóa được bằng điện tử (EEPROM), nhưng cũng có thể là một thiết bị lưu trữ bộ nhớ độc lập như ổ USB. EEPROM là một loại thiết bị bộ nhớ dữ liệu sử dụng thiết bị điện tử để xóa hoặc ghi dữ liệu kỹ thuật số. Bộ nhớ flash là một loại EEPROM riêng biệt, được lập trình và xóa trong các khối lớn.
Bộ nhớ flash kết hợp việc sử dụng các bóng bán dẫn cổng nổi để lưu trữ dữ liệu. Các bóng bán dẫn cổng nổi, hoặc MOSFET cổng nổi (FGMOS), tương tự như MOSFET, là một bóng bán dẫn được sử dụng để khuếch đại hoặc chuyển đổi tín hiệu điện tử. Các bóng bán dẫn cổng nổi được cách ly bằng điện và sử dụng nút nổi trong dòng điện một chiều (DC). Bộ nhớ flash tương tự như MOFSET tiêu chuẩn, ngoại trừ bóng bán dẫn có hai cổng thay vì một.
Techopedia giải thích bộ nhớ Flash
Bộ nhớ flash được giới thiệu lần đầu tiên vào năm 1980 và được phát triển bởi Tiến sĩ Fujio Masuoka, một nhà phát minh và quản lý nhà máy cấp trung tại Tập đoàn Toshiba (TOSBF). Bộ nhớ flash được đặt tên theo khả năng xóa một khối dữ liệu "trong nháy mắt. Mục tiêu của Tiến sĩ Masuoka là tạo ra một chip nhớ lưu trữ dữ liệu khi tắt nguồn. Tiến sĩ Masuoka cũng đã phát minh ra một loại bộ nhớ được gọi là. SAMOS và đã phát triển bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) 1Mb. Năm 1988, Tập đoàn Intel đã sản xuất chip flash thương mại loại NOR đầu tiên, thay thế chip bộ nhớ chỉ đọc (ROM) vĩnh viễn trên bo mạch chủ PC có hoạt động đầu vào / đầu ra cơ bản hệ thống (BIOS).
Một chip nhớ flash bao gồm các cổng NOR hoặc NAND. NOR là một loại ô nhớ được Intel tạo ra vào năm 1988. Giao diện cổng NOR hỗ trợ đầy đủ địa chỉ, bus dữ liệu và truy cập ngẫu nhiên vào bất kỳ vị trí bộ nhớ nào. Thời hạn sử dụng của đèn flash NOR là 10.000 đến 1.000.000 chu kỳ ghi / xóa.
NAND được Toshiba phát triển một năm sau khi NOR được sản xuất. Nó nhanh hơn, có chi phí trên mỗi bit thấp hơn, yêu cầu diện tích chip trên mỗi ô ít hơn và có thêm khả năng phục hồi. Thời hạn sử dụng của cổng NAND là khoảng 100.000 chu kỳ ghi / xóa. Trong cổng NOR, mọi ô đều có một đầu được nối với một đường bit và đầu kia được nối với mặt đất. Nếu một dòng từ là High High thì thì bóng bán dẫn tiến hành hạ thấp dòng bit đầu ra.
Bộ nhớ flash có nhiều tính năng. Nó rẻ hơn rất nhiều so với EEPROM và không cần pin để lưu trữ trạng thái rắn như RAM tĩnh (SRAM). Nó không bay hơi, có thời gian truy cập rất nhanh và khả năng chống sốc động học cao hơn so với ổ đĩa cứng. Bộ nhớ flash cực kỳ bền và có thể chịu được áp lực mạnh hoặc nhiệt độ khắc nghiệt. Nó có thể được sử dụng cho một loạt các ứng dụng như máy ảnh kỹ thuật số, điện thoại di động, máy tính xách tay, máy tính xách tay (trợ lý kỹ thuật số cá nhân), máy nghe nhạc kỹ thuật số và ổ đĩa trạng thái rắn (SSD).
